適用于聚焦離子束（FIB）原位提取與高分辨透射電鏡（TEM）樣品制備。
主要領(lǐng)域：半導(dǎo)體、材料科學(xué)、納米技術(shù)、地質(zhì)、生物等領(lǐng)域的納米級(jí)樣品制備與表征。
核心功能：支持在FIB-SEM系統(tǒng)中進(jìn)行高精度原位lift-out操作，實(shí)現(xiàn)從塊體樣品到TEM薄片的無(wú)縫轉(zhuǎn)移。
一、產(chǎn)品概述：
Omniprobe 公司專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)用于納米尺度操作的精密工具，其FIB Lift-Out TEM 載網(wǎng) 是專(zhuān)為原位提?。?/span>in-situ）lift-out 設(shè)計(jì)的高性能樣品支撐用品。該系列載網(wǎng)具有標(biāo)準(zhǔn)化幾何結(jié)構(gòu)、多點(diǎn)索引定位、優(yōu)化的探針接觸面及低輪廓設(shè)計(jì)，顯著提升FIB操作效率與成功率。
所有產(chǎn)品均采用3mm 標(biāo)準(zhǔn)直徑，兼容主流 TEM 樣品桿；包裝形式包括 塑料小瓶，確保潔凈無(wú)污染。
二、參數(shù)說(shuō)明：
1. Downset（下沉量）：指支柱頂部相對(duì)于載網(wǎng)主平面的下沉深度（單位：微米）。數(shù)值越大，操作空間越充足；數(shù)值小（如5 μm）適用于淺層操作或特殊夾具。
2.“V”形對(duì)準(zhǔn)面：提供自對(duì)中功能，便于OmniProbe微操作探針精準(zhǔn)嵌入抓取。
3. 垂直桿附著面：用于與探針末端牢固連接，適合焊接或搬運(yùn)。
4. 低輪廓/低側(cè)邊設(shè)計(jì)：降低載網(wǎng)邊緣高度，避免FIB探針操作時(shí)發(fā)生遮擋或碰撞。
三、產(chǎn)品詳情：
1、75964-01、75964-02 ，銅或鉬 Lift-Out 載網(wǎng)
定制的銅或鉬 Lift-Out 載網(wǎng)專(zhuān)為原位（in-situ）lift-out 操作而設(shè)計(jì)。載網(wǎng)設(shè)有多個(gè)帶索引的安裝位置，同時(shí)配備垂直桿狀和“V”形附著表面。直徑為 3 mm。
2、75964-03，定制鈹制半環(huán)載網(wǎng)，直徑 3 mm。
3、75964-04，銅制五柱 Lift-Out 載網(wǎng)
專(zhuān)為原位（in-situ）lift-out 操作定制的銅制五柱載網(wǎng)。設(shè)有多個(gè)帶索引的安裝位置，全部配備垂直桿狀附著表面。側(cè)邊采用更低輪廓設(shè)計(jì)，便于微操作探針接觸最外側(cè)的支柱。直徑為 3 mm。
4、75964-05，OmniProbe 銅制四柱 Lift-Out 載網(wǎng)
專(zhuān)為原位（in-situ）lift-out 操作定制的四柱載網(wǎng)。設(shè)有多個(gè)帶索引的安裝位置，其中兩個(gè)配備垂直桿狀附著表面，另兩個(gè)為“V”形對(duì)準(zhǔn)表面。側(cè)邊采用低輪廓設(shè)計(jì)，便于微操作探針接觸最外側(cè)的支柱。直徑為 3 mm。
5、75964-06，OmniProbe 鉬制四柱 Lift-Out 載網(wǎng)
專(zhuān)為原位（in-situ）lift-out 操作定制的四柱載網(wǎng)。設(shè)有多個(gè)帶索引的安裝位置，其中兩個(gè)配備垂直桿狀附著表面，另兩個(gè)為“V”形對(duì)準(zhǔn)表面。側(cè)邊采用低輪廓設(shè)計(jì)，便于微操作探針接觸最外側(cè)的支柱。直徑為 3 mm。
6、75964-07 / 75964-08，三柱淺下沉載網(wǎng)
適用于對(duì)樣品高度敏感的應(yīng)用（如低溫TEM、原位電學(xué)測(cè)試）；
75964-07 強(qiáng)調(diào) 側(cè)邊可及性（Side Access），
75964-08 則優(yōu)化了 中心柱寬度與連接面多樣性。
7、75964-09，五柱銅質(zhì)載網(wǎng)（增強(qiáng)型）
第5根支柱為“E”形結(jié)構(gòu)，可同時(shí)固定多個(gè)樣品或作為參考標(biāo)記；
下沉量?jī)H5 μm，配合更低側(cè)邊，適合高密度布局或自動(dòng)化流程。
8、75964-10，四柱銅質(zhì)Lift-Out載網(wǎng)
l 4個(gè)獨(dú)立銅支柱，提供優(yōu)異機(jī)械穩(wěn)定性；
l 2個(gè)垂直附著面 + 2個(gè)“V”形對(duì)準(zhǔn)面，兼顧抓取與焊接；
l 側(cè)邊低剖面，便于接觸最外側(cè)支柱；
l 支柱下沉量：5 μm（較淺，適合多數(shù)現(xiàn)代FIB系統(tǒng)）；
l 標(biāo)準(zhǔn)3 mm直徑，塑料小瓶包裝，防氧化防塵。
四、操作簡(jiǎn)述（FIB Lift-Out 典型步驟）
l 載網(wǎng)安裝：用OmniProbe探針夾持載網(wǎng)，利用“V”槽或垂直面精準(zhǔn)定位至FIB樣品臺(tái)。
l 樣品切割：FIB在目標(biāo)區(qū)域切割出微米級(jí)薄片（lamella）。
l 拾取與焊接：探針拾取薄片，將其焊接到載網(wǎng)支柱上（常用Pt或C沉積固定）。
l 轉(zhuǎn)移至TEM：完成制樣后，整網(wǎng)取出，直接插入TEM觀察。
五、材質(zhì)選擇建議
材質(zhì) | 優(yōu)點(diǎn) | 注意事項(xiàng) |
銅（Copper） | 導(dǎo)電性好、成本低、通用性強(qiáng) | 不適用于銅敏感體系（如某些催化劑） |
鉬（Molybdenum） | 高熔點(diǎn)、化學(xué)惰性、低污染 | 成本較高，適用于高溫或高純應(yīng)用 |
鈹（Beryllium） | 超輕、低電子散射（用于特殊TEM） | 無(wú)支柱，僅作半環(huán)支撐；有毒，需謹(jǐn)慎處理 |
貨號(hào) | 產(chǎn)品描述 | 規(guī)格 |
75964-01 | FIB原位提取載網(wǎng)（in-situ）lift-out grids，銅，3柱，載網(wǎng)厚度30μm | 100枚 |
75964-02 | FIB原位提取載網(wǎng)（in-situ）lift-out grids，鉬，3柱，載網(wǎng)厚度30um | 25枚 |
75964-03 | 鈹網(wǎng)，載網(wǎng)厚度25um，主要應(yīng)用于離子刻蝕 | 1枚 |
75964-04 | FIB原位提取載網(wǎng)（in-situ）lift-out grids，銅，5柱，載網(wǎng)厚度40μm | 100枚 |
75964-05 | FIB原位提取載網(wǎng)（in-situ）lift-out grids，銅，4柱，載網(wǎng)厚度30μm | 100枚 |
75964-06 | FIB原位提取載網(wǎng)（in-situ）lift-out grids，鉬，4柱，載網(wǎng)厚度30μm | 25枚 |
75964-07 | FIB原位提取載網(wǎng)（in-situ）lift-out grids，銅，3柱，載網(wǎng)厚度30μm（矮肩） | 100枚 |
75964-08 | FIB原位提取載網(wǎng)（in-situ）lift-out grids，銅，3柱，載網(wǎng)厚度30μm | 100枚 |
75964-09 | FIB原位提取載網(wǎng)（in-situ）lift-out grids，銅，5柱，載網(wǎng)厚度35μm | 100枚 |
75964-10 | FIB原位提取載網(wǎng)（in-situ）lift-out grids，銅，4柱，載網(wǎng)厚度30μm | 100枚 |
